物理學家網絡報告說，來自中國吉林大學和美國華盛頓卡內基研究所的國際研究人員團隊合作，將半導體轉變為半導體的“拓撲絕緣體（TI）”。

　　

　　加壓力。是第一次將材料逐漸“調整”到壓力以使其處于拓撲隔離狀態。
　　還為尋找用于高級電子應用程序的IT材料開辟了新途徑。撲絕緣體內部是絕緣的，可以將電能傳導到表面或邊緣，并具有獨特的電氣特性。前，研究人員可以摻雜（添加少量其他元素）或“植物”（在基質上生長樣品，選擇基質以引入結構系統，并且樣品將具有生長過程中的輕微結構變化）。
　　過引入拓撲隔離，這兩種方法都可以改變電子行為，并使材料的行為類似于TI材料，但是它們還有其他問題。

　　
　　雜經常帶來缺陷，并使材料的性能不均勻。矩陣誘導結構系統產生的TI材料無法連續調整，并且無法控制如何將這些材料從普通絕緣體轉換為拓撲絕緣體。Brookhaven國家實驗室的國家同步加速器光源（NSLS）實驗避免了這些缺點，該研究中使用的半導體是鉍，碲和碘的化合物（BiTeI）。
　　究人員向BiTeI樣品施加了10 GPa的壓力（大約是大氣壓的100，000倍），電纜并使用NSLS的兩種束技術跟蹤了其內部結構和電子的變化：X射線衍射和光譜學紅外線。析表明，當壓力范圍為2GPa至8GPa時，BiTeI成為拓撲絕緣體。Brookhaven實驗室的研究助理Wu Xiaoxiang Wu說：“擴大拓撲絕緣材料的種類非常困難。 “實驗表明，壓力是引起拓撲隔離的相態的有效手段。I材料的相變也非常有用。
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